偉凌創(chuàng)芯EMI508WF16是一個(gè)容量8Mbit高速靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，采用先進(jìn)的CMOS工藝、基于6-TR的電池技術(shù)制造，專為高速電路技術(shù)而設(shè)計(jì)。位寬16x512K字節(jié)。使用16個(gè)公共輸入和輸出線，并具有一個(gè)輸出使能引腳，其操作速度比讀取周期的地址訪問時(shí)間快。它特別適合用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用。
 
    特性
    •快速訪問時(shí)間8ns,10ns,12ns
    •CMOS低功耗待機(jī)
    •寬電源范圍:1.65V~3.6V
    •TTL兼容輸入和輸出
    •完全靜態(tài)運(yùn)行
    •三種狀態(tài)輸出
    •數(shù)據(jù)字節(jié)控制(x8,x16模式)
    •標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2和48FBGA封裝
    •工業(yè)操作溫度
    •通過無鉛認(rèn)證
 
    快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。這些存儲器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中，且功耗較高。其典型應(yīng)用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲器。英尚微代理提供快速異步型SRAM，可提供樣品測試。


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