隨著系統(tǒng)復雜性不斷增加，包括多個數(shù)學函數(shù)和算法的復雜代碼也隨之增加，片上存儲器內(nèi)存容量可能不足。因此便攜式醫(yī)療系統(tǒng)通常需要額外的存儲空間，以便設計人員使用外部存儲器來增加內(nèi)部存儲器的空間。
 
以下是一個典型的便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)，其系統(tǒng)考慮因素如下：
系統(tǒng)每100ms捕獲并記錄128位采樣數(shù)據(jù)
系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲和處理時間為5ms，工作電流為7mA（不包括向存儲器寫入數(shù)據(jù)時的電流消耗），數(shù)據(jù)記錄存儲器在數(shù)據(jù)捕獲和處理期間保持待機或低功耗模式
當捕獲日志被寫入到存儲器時，系統(tǒng)和存儲器都變?yōu)楣ぷ鳡顟B(tài)
假設系統(tǒng)待機電流為0.5µA
當單片機內(nèi)核以12兆赫茲的頻率運行時，系統(tǒng)有5%的時間處于工作狀態(tài)
便攜式系統(tǒng)采用3V、1400mAh的LR03電池
 

 
表1顯示了向FRAM和EEPROM寫入數(shù)據(jù)所需的能量。可以看出對于這種應用而言，F(xiàn)RAM消耗的功耗顯著降低。極低功耗深度待機模式和休眠模式可進一步改善功耗，從而進一步延長設備的電池使用壽命。
 
FRAM可提供：
1）近乎無限的耐久度；
2）即時非易失性；
3）低功耗。
 
使得系統(tǒng)設計人員可以將基于ram和ROM的數(shù)據(jù)和功能整合在單個存儲器中。應用通常會在可執(zhí)行代碼和數(shù)據(jù)任務之間分配內(nèi)存。
 
基于ROM的技術(shù)，包括掩模ROM、OTP-EPROM和NOR閃存，是非易失性的，面向代碼存儲應用。NAND閃存和EEPROM也可以用作非易失性數(shù)據(jù)存儲器。這些存儲器由于執(zhí)行代碼和數(shù)據(jù)存儲操作時性能不佳，因此都需要一些折中方案。它們側(cè)重于降低成本，所以需要在易用性和/或性能方面進行權(quán)衡。
 
基于RAM的技術(shù)（如SRAM）可以用作數(shù)據(jù)存儲器，也可以用作代碼執(zhí)行的工作空間，其速度比較快，不過它的易失性使其僅僅可用于臨時存儲。
 
便攜式應用空間受限，要求使用盡可能少的組件來優(yōu)化性能。即使在電路板空間充足的應用中，使用多種存儲器類型也會導致效率低下，使代碼設計復雜化，并且通常會消耗更多能量。
 
FRAM的效率與可靠性使之成為能同時處理代碼和數(shù)據(jù)的單一存儲器技術(shù)。作為存儲器技術(shù)，F(xiàn)RAM擁有支持高頻率數(shù)據(jù)記錄操作的耐久度，同時還能降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)效率，并簡化設計。
 
富士通FRAM憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領域風生水起，在各種應用領域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關技術(shù)支持。


本文關鍵詞： FRAM  

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