半導(dǎo)體存儲器經(jīng)過40多年來的發(fā)展，根據(jù)Yole Developpement市場分析公司的數(shù)據(jù)，PCM將會迎來迅速的發(fā)展的大時(shí)機(jī)，并預(yù)計(jì)會實(shí)現(xiàn)約50億美元的銷售額在2023年。
 
PCM的市場份額被預(yù)估會從2018年的2.73億美元增長到2023的61億美元，并將占83
%來自每年獨(dú)立的新興非易失性存儲器市場份額，大概為86%的復(fù)合年增長率。
 
YOLE預(yù)計(jì)到2023年，ReRAM會上升到銷售額排名第二的位置，即使目前ReRAM并未大面積被使用的情況下。
 
新興的非易失性存儲器市場受到來自獨(dú)立的和嵌入式應(yīng)用技術(shù)市場的沖擊。資料來源：Yole Developpement。
 
在SCM及基于PCM的3D XPoint存儲器的Intel和Micron的推動，獨(dú)立非易失性存儲器日漸增長。同時(shí)存儲器廠家海力士也同時(shí)在研究類似于英特爾和美光的方法。
 
根據(jù)YOLE的分析師Simone Bertolazzi的聲明中，可以得知即使圍繞嵌入式應(yīng)用的新興NVM正在蓬勃發(fā)展，也不阻礙獨(dú)立存儲器將會主導(dǎo)市場，而獨(dú)立存儲器的主導(dǎo)是由SCM企業(yè)和客戶端應(yīng)用驅(qū)動的。
 
DRAM在未來五年仍然會繼續(xù)不斷的擴(kuò)展，但發(fā)展速度應(yīng)該比之前的慢些，也由于3D集成技術(shù)的發(fā)展，NAND閃存的容量也將會不斷的增加。由于特性及市場的不同，新興的NVM不會取代獨(dú)立的DRAM跟NAND FLASH,應(yīng)該會在組合存儲器中對其進(jìn)行補(bǔ)充。
 
ReRAM有可能成為第一個(gè)與3D XPoint相競爭的獨(dú)立技術(shù)，但是由于技術(shù)限制，ReRAM的發(fā)展還是比較緩慢的，目前Crossbar Inc.和Nantero Inc是支持獨(dú)立的ReRAM的技術(shù)應(yīng)用的。
 
新興的非易失性存儲器因應(yīng)用而發(fā)展。
 
ReRAM有可能與SCM再次作為競爭者在2020年之后，在高速性及高耐久性上，STT-MRAM也認(rèn)為很有應(yīng)用前景但限于制作工藝的復(fù)雜性未能大面積被應(yīng)用。
 
目前來看STT-MRAM正在為微控制器增添動力相對于新興非易失性存儲器的嵌入式市場，所有主流的代工廠都參與了STT-MRAM的領(lǐng)域加速研發(fā)STT-MRAM。
 
與獨(dú)立市場相比，嵌入式新興NVM從2017市場份額來看只占了3%相對性市場規(guī)模還是比較小的，所有頂級代工廠都在準(zhǔn)備28nm或22nm的STT-MRAM產(chǎn)品。
 
Yole預(yù)測，到2023年，STT-MRAM將占據(jù)每年11億美元的市場份額的四分之三左右，其余大部分將用于ReRAM技術(shù)。
本文關(guān)鍵詞：MRAM

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