SRAM（（Static Random Access Memory）又被稱為靜態(tài)隨機儲存器，只要保持通電，其中存儲的數(shù)據(jù)就能永久保存，但是一旦斷掉電源，存儲的數(shù)據(jù)也會因此消失，屬于揮發(fā)性記憶體。而HBM（High Bandwidth Memory）屬于高頻寬記憶體，是一種進階型的DRAM，通過3D堆疊+矽穿孔（TSV）技術(shù)，把多層記憶體堆疊在一起，再與邏輯晶片以超寬匯流排連接。

 

　　SRAM的優(yōu)點是速度快、延遲低，無需刷新數(shù)據(jù)就可以穩(wěn)定保存。相對DRAM功耗低，適合高速短暫存儲的應(yīng)用需求。缺點是面積較大，成本比較高，不適合大容量的存儲需求。

 

　　HBM的優(yōu)點是頻寬高，相比傳統(tǒng)的DRAM存儲器功率更低，容量也要比SRAM大很多，HBM的延遲會低于傳統(tǒng)的DRAM，但是要高于SRAM。缺點是HBM的制程難度高，成本也相對更高。HBM適用于高效高速的運算核心器件存儲，例如AI GPU、AI訓(xùn)練、推論加速器等。

 

　　總之，需要什么類型的存儲器要根據(jù)個人的應(yīng)用需求來選擇，英尚作為知名的電子元器件與存儲解決方案的供應(yīng)商，可以提供豐富的產(chǎn)品選擇和選型方案設(shè)計，如果您有需求，歡迎隨時來電聯(lián)系。

本文關(guān)鍵詞：SRAM,HBM
 

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