單片機(jī)有的時(shí)候還是需要有大容量的RAM作為數(shù)據(jù)緩存。通過(guò)串行接口擴(kuò)展單片機(jī)片外內(nèi)存的方法。可以滿足單片機(jī)數(shù)據(jù)訪問(wèn)的要求了。通過(guò)單片機(jī)的串口擴(kuò)展外部RAM，避免造成了單片機(jī)引腳和電子線路布板空間的浪費(fèi)。因此使用SPI SRAM開(kāi)展外部RAM可以有效解決這個(gè)問(wèn)題。
 
    國(guó)產(chǎn)EMI公司的64Mbit SPI SRAM芯片EMI7064。它支持1.8v和3.0V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口。設(shè)備本身會(huì)執(zhí)行所有必要的刷新操作。封裝采用8引腳SOIC。
 
    使用單片機(jī)作為測(cè)試控制器，使用它的六個(gè)IO連接SRAM，完成讀寫(xiě)。利用快速制版方法，制作測(cè)試電路。
 
    由于是采用了模擬SPI口的方式，所以訪問(wèn)單個(gè)字節(jié)所需要的時(shí)間比較長(zhǎng)。如果將整個(gè)8兆字節(jié)全部讀一遍，需要花費(fèi)19秒鐘的時(shí)間。后面可以通過(guò)單片機(jī)SPI硬件，便可以提高讀取速度,也可以通過(guò)四路IO同時(shí)訪問(wèn)的形式，來(lái)提高讀寫(xiě)的速度。
 
 
本文關(guān)鍵詞：串行SRAM,SRAM,EMI7064

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