臺積電1.4納米級制造技術的開發(fā)正在順利進行。臺積電強調使用其2納米級制造工藝的量產(chǎn)有望在2025年實現(xiàn)。
 
    隨著半導體工藝深入到5nm以下，制造的難度和成本日益增加。摩爾定律的物理極限大約在1nm左右，再往下就會面臨嚴重的量子隧穿難題，這將導致晶體管失效。各大廠商在實際尺寸上采用的先進工藝仍有一定的余地，紙面上的1nm工藝仍可能存在。
     
    臺積電去年成立了一個團隊來研發(fā)1.4nm工藝，CEO表示公司正在探索比1.4nm更先進的工藝。1.4nm工藝是半導體行業(yè)追求的目標之一，但將會面臨很大的挑戰(zhàn)。
 
    2nm工藝之后是14A，也就是1.4nm工藝，預計在2026年問世，再往后就是A10工藝，也就是1nm，預計在2028年問世。
 
    然而，實際量產(chǎn)時間可能會延后。在2nm節(jié)點之后，EUV光刻機需要進行大規(guī)模升級，ASML預計在2026年推出下一代EXE:5000系列，采用HighNA技術提高光刻分辨率。但下一代EUV光刻機的售價將從1.5億美元上漲到4億美元以上，甚至可能會進一步增加，這對制造商的成本控制能力提出了很大的考驗。
 
 
本文關鍵詞：1.4nm工藝

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