隨著各大原廠東芝、三星、美光、SK海力士等NAND Flash向3D技術(shù)發(fā)展，以及物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)相關(guān)半導體需求帶來的設(shè)備商機，國際半導體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)預測半導體設(shè)備市場，2017年市場規(guī)模將達434億美元，比2016年高出9.3%，這是2015年起連續(xù)第3年持續(xù)增長。
      帶動半導體設(shè)備市場成長的主要來源是因應(yīng)個人計算機、智能型手機、與云端儲存對大容量存儲芯片需求的迫切，F(xiàn)lash原廠對3D NAND投入加快。
      自從三星成功量產(chǎn)3D NAND之后，英特爾在2015年研發(fā)出3D Xpoint新閃存技術(shù)，美光、東芝、SK海力士也在2016年陸續(xù)投產(chǎn)3D NAND，2017年原廠3D技術(shù)紛紛提升到64層3D NAND投產(chǎn)，英特爾也將3D XPoint開始用于SSD產(chǎn)品。
       NAND Flash的3D技術(shù)與2D技術(shù)在結(jié)構(gòu)上大相徑庭。簡單來說，2D NAND就像是平房，3D NAND就像是高聳入云的高樓大廈，也因此Flash原廠近幾年大手筆增加投資金額建廠或更新設(shè)備。其中三星2013年在中國西安建3D NAND專用工廠，2015年開建的平澤廠也將在2017年投入生產(chǎn)，東芝改造Fab 2工廠，并開始新建Fab 6工廠，還有美光Fab 10X和SK海力士M14，以及SK海力士將要新建的M15工廠，這些都需要采購新設(shè)備生產(chǎn)3D NAND。
      東京威力科創(chuàng)(Tokyo Electron)執(zhí)行董事堀哲朗表示，2016會計年度(2016/4~2017/3)的NAND設(shè)備訂單是2015會計年度的2倍；愛德萬(Advantest)社長吉田芳明認為，NAND設(shè)備訂單需求至少會持續(xù)到2017會計年度上半年，甚至更長。
      雖然東芝計劃出售東芝Memory新公司股權(quán)可能會影響到3D NAND設(shè)備投資計劃，以及Fab 6新建計劃，但不至于影響到整個半導體設(shè)備的訂單需求。另一方面，物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)半導體需求的成長，也給半導體設(shè)備市場帶來了新需求。

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