富士通半導體存儲器解決方案在繼續為需要頻繁數據重寫的客戶設備尋求更大密度的 FRAM產品的同時，一直在開發新的非易失性存儲器以滿足頻繁數據讀取的要求，從而引入了這種新的 12Mbit ReRAM產品。富士通半導體內存解決方案不斷開發各種低功耗內存產品以滿足客戶的需求。
 
MB85AS12MT是一款具有 12Mbit 存儲密度的非易失性存儲器，可在 1.6V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內工作。新的 ReRAM 產品的內存密度是現有 8Mbit ReRAM 的 1.5 倍，同時保持相同的封裝尺寸 WL-CSP（晶圓級芯片尺寸封裝）和相同的引腳分配。
 

型號	MB85AS12MT
密度（配置）	12Mbit (1.5M x 8bit)
界面	SPI接口
工作電壓	1.6V 至 3.6V
工作溫度范圍	-40°C 至 +85°C
閱讀耐力	無限
寫耐力	500,000 次
封裝	11pin WL-CSP
低功耗	讀取電流：0.15mA (Ave.) at 5MHz operation 讀取電流：1.0mA (Max.) at 10MHz operation 寫入電流：2.5mA (Max.) at 10MHz operation 休眠電流：8μA (Max.)

 
ReRAM電阻式隨機存取存儲器是一種非易失性存儲器，其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上，從而在記錄1和0的電阻上產生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡單結構，制造工藝非常簡單，同時仍具有低功耗、寫入速度快等優良特性。ReRAM 產品可以解決在可穿戴設備開發中使用閃存或EEPROM 所產生的以下問題。
 
ReRAM電阻式隨機存取存儲器是一種非易失性存儲器，其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上，從而在記錄1和0的電阻上產生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡單結構，制造工藝非常簡單，同時仍具有低功耗、寫入速度快等優良特性。富士通ReRAM 產品可以解決在可穿戴設備開發中使用閃存或EEPROM 所產生的以下問題。
 
案例1
問題：8Mbit ReRAM 的內存密度不足
解決方案：使用與 8Mbit 產品具有相同引腳分配的 12Mbit ReRAM。
好處：提高最終產品的性能
 
案例2
問題：由于安裝面積的限制，需要保持較小的封裝尺寸
解決方案：在非常小的封裝中使用 12Mbit ReRAM。
好處：在提高性能的同時保持小尺寸
 
案例3
問題：傳統非易失性存儲器難以降低功耗
解決方案：使用讀取電流非常小的 ReRAM。
好處：延長最終產品的電池壽命（減少電池更換次數）