Cypress憑借在分立存儲器半導體領域近40年的經驗，以同類最佳的存儲器產品、解決方案和技術引領行業(yè)。于1982年推出第一款隨機存取存儲器，并從這個吉祥的開端發(fā)展為涵蓋NOR閃存、pSRAM、SRAM、nvSRAM和FRAM的廣泛產品，其密度范圍從4Kbit到4Gbit。賽普拉斯易失性和非易失性存儲器產品組合具有以下特性：超低功耗、高性能、可靠的FRAM產品。Cypress代理可提供產品相關技術支持。
 
功能概述
FM25V01A-G是一個采用高級鐵電工藝的128Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數據保留時間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。
 
與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V01A-G以總線速度執(zhí)行寫操作。并且它不會引起任何寫操作延遲。每個字節(jié)成功傳輸到器件后，數據立即被寫入到存儲器陣列內。這時可以開始執(zhí)行下一個總線周期而不需要輪詢數據。與其他非易失性存儲器相比的是該產品提供了更多的擦寫次數。FM25V01A-G能夠支持1014次讀/寫周期，或支持比EEPROM多1億次的寫周期。
 
由于具有這些特性，因此FM25V01A-G適用于需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。應用的范圍包括從數據采集（其中寫周期數量是非常重要的）到苛刻的工業(yè)控制（其中串行閃存或EEPROM的較長寫時間會使數據丟失）。
 
作為硬件替代時，F(xiàn)M25V01A-G為串行EEPROM或閃存的用戶提供大量便利。FM25V01A-G使用高速的SPI總線，從而可以改進FRAM技術的高速寫入功能。該器件包含一個只讀的器件ID，通過該ID，主機可以確定制造商、產品容量和產品版本。在–40℃到+85℃的工業(yè)級溫度范圍內，該器件規(guī)范得到保證。
 
特性
■128Kbit鐵電性隨機存儲器（FRAM）被邏輯組織為16K×8
?高耐久性：100萬億（1014）次的讀/寫操作
?151年的數據保留時間（請參考數據保留時間與耐久性表）
?NoDelay™寫操作
?高級高可靠性的鐵電工藝
■非常快的串行外設接口（SPI）
?工作頻率可高達40MHz
?串行閃存和EEPROM的硬件直接替代
?支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
■精密的寫入保護方案
?使用寫保護（WP）引腳提供硬件保護
?使用寫禁用指令提供軟件保護
?可為1/4、1/2或整個陣列提供軟件模塊保護
■器件ID
?制造商ID和產品ID
■低功耗
?當頻率為40MHz時，有效電流為2.5mA
?待機電流為150mA
?睡眠模式電流為8mA
■工作電壓較低：VDD=2.0V到3.6V
■工業(yè)溫度范圍：–40℃到+85℃
■8引腳小型塑封集成電路（SOIC）封裝
■符合有害性物質限制（RoHS）

引腳分布
 
FM25V01A-G是一個串行FRAM存儲器。存儲器陣列被邏輯組織為16,384×8位，使用工業(yè)標準的串行外設接口（SPI）總線可以訪問它。FRAM和串行閃存以及串行EEPROM的功能操作是相同的。FM25V01A-G與串行閃存或具有相同引腳分布的EEPROM的主要區(qū)別在于FRAM具有更好的寫性能、高耐久性和低功耗。
 
存儲器架構
當訪問FM25V01A-G時，用戶尋址16K地址的每8個數據位。這些8位數據被連續(xù)移入或移出。通過使用SPI協(xié)議可以訪問這些地址，該協(xié)議包含一個芯片選擇（用于支持總線上的多個器件）、一個操作碼和一個兩字節(jié)地址。該地址范圍的高2位都是‘無需關注’的值。14位的完整地址獨立指定每個字節(jié)的地址。
 
FM25V01A-G的大多數功能可以由SPI接口控制，或者通過板上電路自動處理。存儲器的訪問時間幾乎為零，該時間小于串行協(xié)議所需要的時間。因此該存儲器以SPI總線的速度進行讀/寫操作。與串行閃存或EEPROM不同的是，不需要輪詢器件的就緒條件，這是因為寫操作是以總線速度進行的。新的總線數據操作移入器件前需要完成寫操作。
 
賽普拉斯鐵電RAM(FRAM)存儲器，通過將超低功耗操作與高速接口、即時非易失性和無限讀/寫相結合，提供業(yè)界功耗最低的關鍵任務非易失性存儲器循環(huán)耐力。這使得FRAM成為便攜式醫(yī)療、可穿戴、物聯(lián)網傳感器、工業(yè)和汽車應用的理想數據記錄存儲器。
 
 
 本文關鍵詞：FM25V01A-G  串行FRAM

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