FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
 
FM25V10-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上被組織為131,072×8位，并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進(jìn)行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。FM25V10-GTR與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區(qū)別在于FRAM的優(yōu)越寫入性能，高耐用性和低功耗。
 
與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V10-GTR以總線速度執(zhí)行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數(shù)據(jù)輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著的寫入耐久性。FM25V10-GTR能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25V10-GTR非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用，例如數(shù)據(jù)收集（可能是關(guān)鍵的寫入周期數(shù)）到苛刻的工業(yè)控制，而串行閃存或EEPROM的較長寫入時間會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。失利。
 
FM25V10-GTR作為串行EEPROM或閃存的用戶，可作為硬件的替代品而獲得實質(zhì)性好處。FM25V10-GTR使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。FM25VN10提供了唯一的序列號，該序列號是只讀的，可用于識別電路板或系統(tǒng)。兩種設(shè)備都包含一個只讀的設(shè)備ID，主機可以通過該ID來確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內(nèi)保證器件的規(guī)格。

耐力
FM25V10-GTR器件至少可以被訪問1014次，可以進(jìn)行讀取或?qū)懭搿?FeRAM存儲器具有讀取和還原機制。因此，對于存儲陣列的每次訪問（讀取或?qū)懭耄瑢葱惺┘幽途弥芷凇?FRAM體系結(jié)構(gòu)基于每個64位的16K行的行和列的陣列。整個行在內(nèi)部訪問一次，無論是讀取還是寫入一個字節(jié)或全部八個字節(jié)。在耐久性計算中，該行中的每個字節(jié)僅被計數(shù)一次。下圖顯示了一個64字節(jié)重復(fù)循環(huán)的耐久性計算，該循環(huán)包括一個操作碼，一個起始地址和一個順序的64字節(jié)數(shù)據(jù)流。這將導(dǎo)致每個字節(jié)在整個循環(huán)中經(jīng)歷一個持久周期。即使在40 MHz時鐘速率下，F(xiàn)RAM的讀寫持久性實際上也是無限的。

 
記憶操作
SPI接口具有高時鐘頻率，彰顯了FRAM技術(shù)的快速寫入能力。與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V10-GTR可以以總線速度執(zhí)行順序?qū)懭搿２恍枰撁婕拇嫫鳎⑶铱梢詧?zhí)行任何數(shù)量的順序?qū)懭搿?br />  
唯一序列號（僅FM25VN10）
FM25VN10器件包含一個只讀的8字節(jié)序列號。它可以用來唯一地標(biāo)識電路板或系統(tǒng)。序列號包括一個40位唯一編號，一個8位CRC和一個16位編號，可以根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定義。如果不要求客戶特定號碼，則16位客戶標(biāo)識符為0x0000。
 
通過發(fā)出SNR操作碼（C3h）來讀取序列號。 8位CRC值可用于與控制器計算出的值進(jìn)行比較。如果兩個值匹配，則說明從站和主站之間的通信沒有錯誤。該函數(shù)用于計算CRC值。為了執(zhí)行計算，將7個字節(jié)的數(shù)據(jù)按照從該部分讀取的順序填充到內(nèi)存緩沖區(qū)中，即字節(jié)7，字節(jié)6，字節(jié)5，字節(jié)4，字節(jié)3，字節(jié)2，字節(jié)1。序列號。計算是對7個字節(jié)執(zhí)行的，結(jié)果應(yīng)與8字節(jié)CRC值字節(jié)0的最后一個字節(jié)相匹配。
 

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